1330nm DFB 激光器主要以半導體材料為介質，具有非常好的單色性，它的線寬普遍可以做到1MHz以內，以及具有非常高的邊模抑制比，可高達40－50dB以上。DFB的芯片分為P極和N極，當注入p－n結的電流較低時，只有自發輻射產生，隨電流值的增大增益也增大，達閾值電流時，p－n結產生激光。
1330nm DFB 激光器的結構怎么做才能使其特性比較好，能夠達到更高速的操作呢？
首先，通過調整功能腔的長度和集裝波導的寬度來實現。對于功能腔長度越短、集裝波導越窄的情況，光子所占體積小，一致性較強，整個激光器的操作速度比較快。
其次，通過光柵的優化與kl設計，來提高其功能。
第三，通過最佳量子阱結構與摻雜分布，改善激光器操作頻率。
第四，通過將接觸電阻和串聯電阻變小，將寄生電容變小，或者增加介質膜厚度減少電容，來增加操作頻率。
背腔相位是在激光器解離過程中隨機定義出來的，因此不能得到精準控制，就是一個隨機的數值，但是對于特定的設計和制作來講，可以通過統計學的方法，統計批次的設計良率確定，進而在設計師考慮基于隨機背腔相位和標稱特性的分布。
背腔相位對1330nm DFB 激光器存在以下影響：
1 閾值電流的影響：
背腔相位影響允許的激射波長，他們有不同的激射增益。
2 激射波長：隨機背腔相位輕微便宜允許模式，但是由于增益隨波長的略微變化而顯著變化，具有低增益的模式可能顯著變化。
3 單模行為：針對某些背腔相位，兩張允許的模式會有基本相同的激光增益，在這種情況下，器件可能有兩個激射模式。
4 斜率效率：器件的功率分布依賴于相位，十分敏感，稍不同的背腔相位代表不同的斜率效率，不似FP那樣，斜率效率敏感地依賴于背腔相位。
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